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Mapping diverse hysteresis dynamics in scaled MoS$_2$ FETs using the universal method derived from TCAD modeling

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Lv, Yezhu, Cai, Haihui, Wu, Yehao, Illarionov, Yu. Yu.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2025
Schlagworte:	Materials Science
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