Etching-to-deposition transition in SiO$_2$/Si$_3$N$_4$ using CH$_x$F$_y$ ion-based plasma etching: An atomistic study with neural network potentials

Fuente: arXiv
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Hauptverfasser: An, Hyungmin, Oh, Sangmin, Lee, Dongheon, Ko, Jae-hyeon, Oh, Dongyean, Hong, Changho, Han, Seungwu
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2025
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