Tunable Light Emission from GaAsP and GaInP Islands Grown on Silicon (001) Nanotips Wafer
Fuente:
arXiv
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | Kafi, Navid, Rodrigues, Adriana, Haeusler, Ines, Ma, Haoran, Netzel, Carsten, Hammud, Adnan, Skibitzki, Oliver, Schmidbauer, Martin, Hatami, Fariba |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2025
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge
Optical and Structural Properties of GaAs/GaInP Quantum Wells Grown by Chemical Beam Epitaxy
von: M. R. Martins
Veröffentlicht: (2004)
von: M. R. Martins
Veröffentlicht: (2004)
Gallium; Ga aus SMD-LED; GaP, GaN, GaAsP
von: Rost, Florian
Veröffentlicht: (2026)
von: Rost, Florian
Veröffentlicht: (2026)
Highly Strained AlGaAs‐GaAsP Nanomembranes‐Based High‐Performance Diode
von: Haris Naeem Abbasi, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Haris Naeem Abbasi, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Modelling of GaAsP/InGaAs/GaAs strain-balanced multiple-quantum well solar cells
von: C. I. Cabrera
Veröffentlicht: (2012)
von: C. I. Cabrera
Veröffentlicht: (2012)
Silicon‐Based 850 nm GaAs/GaAsP‐Strained Quantum Well Lasers with Active Region Dislocation Blocking Layers
von: Jian Li, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Jian Li, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Silicon‐Based 850 nm GaAs/GaAsP‐Strained Quantum Well Lasers with Active Region Dislocation Blocking Layers
von: Jian Li, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Jian Li, et al.
Veröffentlicht: (2024)
MOCVD GaInP heterojunction bipolar transistor current gain stability
von: V. Cabrera
Veröffentlicht: (2001)
von: V. Cabrera
Veröffentlicht: (2001)
Evidence of Cationic Antiphase Disorder in Epitaxial Cu(In,Ga)S2 Grown on GaP/Si(001)
von: Eugène Bertin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Eugène Bertin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Multichannel-GaAsP-photomultiplier-based fiber bundle ISM-STED microscope
von: Babin, Marcus, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Babin, Marcus, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optical properties of Fermi polarons in a GaInP/MoSe2 monolayer heterostructure
von: Shan, Hangyong, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Shan, Hangyong, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Sheet Resistance Optimization in (Al)GaInP Solar Cells for Concentrator Quadruple–Junction Solar Cells
von: Malte Klitzke, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Malte Klitzke, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Toward thin GaSb Buffer Layers Grown on On‐Axis (001) Silicon by Molecular Beam Epitaxy
von: A. Gilbert, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: A. Gilbert, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Interconnect‐Integrated GaInP/AlGaAs Schottky Photodetector Array with Heterojunction‐Assisted Enhanced Photovoltaic Effect for Automotive Speed Measurement Systems
von: Wenbo Yue, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Wenbo Yue, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Localized Excitonic Emission in Wafer-Scale MOCVD-Grown GaSe 2D Nanosheets for Classical and Non-Classical Light Sources
von: Sahoo, Bhabani Sankar, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Sahoo, Bhabani Sankar, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Robust coherent phonon mode at GaP/Si(001) heterointerface
von: Ishioka, Kunie, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Ishioka, Kunie, et al.
Veröffentlicht: (2025)
An Advanced Epitaxial Strategy Enabling Vertical GaN Devices on Silicon Wafers
von: Kawamura, Fumio, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Kawamura, Fumio, et al.
Veröffentlicht: (2026)
An Advanced Epitaxial Strategy Enabling Vertical GaN Devices on Silicon Wafers
von: Fumio Kawamura, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Fumio Kawamura, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Wafer-Scale Fabrication of InGaP-on-Insulator for Nonlinear and Quantum Photonic Applications
von: Thiel, Lillian, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Thiel, Lillian, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optomechanical cavities based on epitaxial GaP on nominally (001)-oriented Si
von: Mouriño, Paula, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Mouriño, Paula, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optomechanical Cavities Based on Epitaxial GaP on Nominally (001)‐Oriented Si
von: Paula Mouriño, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Paula Mouriño, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Performance of Hydride Vapor Phase Epitaxy‐Grown GaInP Photovoltaics with Double‐Sided Al‐Containing Passivation Layers Under Air Mass 1.5 Global Solar Irradiation and Low‐Intensity Indoor Light Irradiation
von: Yasushi Shoji, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Yasushi Shoji, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Performance of Hydride Vapor Phase Epitaxy‐Grown GaInP Photovoltaics with Double‐Sided Al‐Containing Passivation Layers Under Air Mass 1.5 Global Solar Irradiation and Low‐Intensity Indoor Light Irradiation
von: Yasushi Shoji, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Yasushi Shoji, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Reduction of the Threading Dislocation Density in GaSb Layers Grown on Si(001) by Molecular Beam Epitaxy
von: A. Gilbert, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: A. Gilbert, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Nonlinear Elasticity at the Damage Threshold of Semiconductor Nanocrystals
von: Hensel, Daniel, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Hensel, Daniel, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Sub-0.6 eV Inverted Metamorphic GaInAs Cells Grown on InP and GaAs Substrates for Thermophotovoltaics and Laser Power Conversion
von: Schulte, Kevin L., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Schulte, Kevin L., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Strongly coupled interface electronic states and interface phonon mode at GaP/Si(001)
von: Mette, Gerson, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Mette, Gerson, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Why Is the Bandgap of GaP Indirect While That of GaAs and GaN Are Direct?
von: Jinhai Huang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Jinhai Huang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Highly Coupled Dynamically Modulated Electrocatalysts on Wafer‐Scale InGaN/GaN Nanowires on Silicon for Successive Acidic Photoelectrochemical Water Oxidation
von: Wengang Gu, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Wengang Gu, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Luminescence-Induced Tunable Superconductivity in BSCCO via GaP Quantum Dots
von: Hai, Qingyu, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Hai, Qingyu, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Self‐Catalyzed AlGaAs Nanowires and AlGaAs/GaAs Axial Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy
von: Giorgos Boras, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Giorgos Boras, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Phonon interference effects in GaAs-GaP superlattice nanowires
von: Arya, Chaitanya, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Arya, Chaitanya, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Nanocrystalline GaN and GaN:H Films Grown by RF-Magnetron Sputtering
von: D. M. G. Leite
Veröffentlicht: (2006)
von: D. M. G. Leite
Veröffentlicht: (2006)
Wafer-scale correlated morphology and optoelectronic properties in GaAs/AlGaAs core-shell nanowires
von: Das, Ishika, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Das, Ishika, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Vertical GaN Trench‐MOSFETs Fabricated on Ammonothermally Grown Bulk GaN Substrates
von: Maciej Kamiński, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Maciej Kamiński, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Red Emission of Well‐Ordered InGaN/GaN Nanocolumn Arrays on Si (111) Substrates Grown via Nanotemplate Selective‐Area Growth
von: Kota Hoshino, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Kota Hoshino, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Silicon Driven Facet Regulation Enables Tunable Micro-Diamond Architectures in Liquid Ga In
von: Jiang, Zhi, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Jiang, Zhi, et al.
Veröffentlicht: (2026)
TOPCon Solar Cells Made of n‐Type and p‐Type Epitaxially Grown Silicon Wafers
von: Armin Richter, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Armin Richter, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Recombination Activity of Crystal Defects in Epitaxially Grown Silicon Wafers for Highly Efficient Solar Cells
von: Clara Rittmann, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Clara Rittmann, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Lasing Characteristics of GaInAsP Separate Confinement Heterostructure–Multiple Quantum Well Laser Diodes Grown on Hydrophilic‐Bonded InP–Si Substrates
von: Liang Zhao, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Liang Zhao, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Epitaxial Tantalum‐Doped β‐Ga2O3 Thin Films Grown on Mgo (001) Substrate by Pulsed Laser Deposition
von: Haobo Lin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Haobo Lin, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Ähnliche Einträge
-
Optical and Structural Properties of GaAs/GaInP Quantum Wells Grown by Chemical Beam Epitaxy
von: M. R. Martins
Veröffentlicht: (2004) -
Gallium; Ga aus SMD-LED; GaP, GaN, GaAsP
von: Rost, Florian
Veröffentlicht: (2026) -
Highly Strained AlGaAs‐GaAsP Nanomembranes‐Based High‐Performance Diode
von: Haris Naeem Abbasi, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Modelling of GaAsP/InGaAs/GaAs strain-balanced multiple-quantum well solar cells
von: C. I. Cabrera
Veröffentlicht: (2012) -
Silicon‐Based 850 nm GaAs/GaAsP‐Strained Quantum Well Lasers with Active Region Dislocation Blocking Layers
von: Jian Li, et al.
Veröffentlicht: (2024)