Enhanced Performance of FeFET Gate Stack via Heterogeneously co-doped Ferroelectric HfO$_2$ Films
Fuente:
arXiv
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | Yang, Shouzhuo, Lehninger, David, Reinig, Peter, Schöne, Fred, Hoffmann, Raik, Seidel, Konrad, Lederer, Maximilian, Gerlach, Gerald |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Publié: |
2025
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires
Toward Energy‐Efficient Ferroelectric Field‐Effect Transistors and Ferroelectric Random Access Memories: Tailoring the Coercive Field of Ferroelectric HfO2 Films
par: David Lehninger, et autres
Publié: (2024)
par: David Lehninger, et autres
Publié: (2024)
Revealing the Influence of Dopants on the Properties of Fluorite Structure Ferroelectrics
par: Yang, Shouzhuo, et autres
Publié: (2025)
par: Yang, Shouzhuo, et autres
Publié: (2025)
Performance Enhancement in Hafnium Oxide Through Homogeneous and Heterogeneous co‐Doping Strategies
par: Shouzhuo Yang, et autres
Publié: (2026)
par: Shouzhuo Yang, et autres
Publié: (2026)
Revealing the Ferroelectric Fatigue Pathways in HfO₂ Film
par: Yufeng Xue, et autres
Publié: (2025)
par: Yufeng Xue, et autres
Publié: (2025)
CMOS‐Compatible ScAlN Ferroelectric Thin Films with Enhanced Polarization for High‐Performance FeFET Memory and Artificial Synapses
par: Bingqian Xu, et autres
Publié: (2025)
par: Bingqian Xu, et autres
Publié: (2025)
BEOL Ferroelectric Compute-in-Memory Ising Machine for Simulated Bifurcation
par: Qian, Yu, et autres
Publié: (2025)
par: Qian, Yu, et autres
Publié: (2025)
Synergistic Effect of Ferroelectric and HfO2/SiO2 Hetero dielectrics in Junctionless FET for Analog and RF Applications
par: Jyotsana Singh, et autres
Publié: (2024)
par: Jyotsana Singh, et autres
Publié: (2024)
Ferroelectric Field Effect Transistors–Based Content‐Addressable Storage‐Class Memory: A Study on the Impact of Device Variation and High‐Temperature Compatibility
par: Athira Sunil, et autres
Publié: (2024)
par: Athira Sunil, et autres
Publié: (2024)
Stabilizing Schottky‐to‐Ohmic Switching in HfO2‐Based Ferroelectric Films via Electrode Design
par: Moritz L. Müller, et autres
Publié: (2025)
par: Moritz L. Müller, et autres
Publié: (2025)
Multi-Domain FeFET-Based Pixel for In-Sensor Multiply-and-Accumulate Operations
par: Udoy, Md Rahatul Islam, et autres
Publié: (2025)
par: Udoy, Md Rahatul Islam, et autres
Publié: (2025)
Low Power and Temperature-Resilient Compute-In-Memory Based on Subthreshold-FeFET
par: Zhou, Yifei, et autres
Publié: (2023)
par: Zhou, Yifei, et autres
Publié: (2023)
Phase Synergy Enables Low‐Power Ferroelectric Switching in HfO 2 Epitaxial Films
par: Kefan Wang, et autres
Publié: (2026)
par: Kefan Wang, et autres
Publié: (2026)
Vanadium-doped HfO$_2$, multiferroic uncompromised
par: Fiorentini, Vincenzo, et autres
Publié: (2025)
par: Fiorentini, Vincenzo, et autres
Publié: (2025)
Variation-Resilient FeFET-Based In-Memory Computing Leveraging Probabilistic Deep Learning
par: Manna, Bibhas, et autres
Publié: (2023)
par: Manna, Bibhas, et autres
Publié: (2023)
First Demonstration of 28 nm Fabricated FeFET-Based Nonvolatile 6T SRAM
par: Mema, Albi, et autres
Publié: (2026)
par: Mema, Albi, et autres
Publié: (2026)
Lightweight True In-Pixel Encryption with FeFET Enabled Pixel Design for Secure Imaging
par: Udoy, Md Rahatul Islam, et autres
Publié: (2026)
par: Udoy, Md Rahatul Islam, et autres
Publié: (2026)
Enhancing FeFET Structures for Non‐Volatile On‐Chip Memories: Design and Comparative Analysis
par: Mandeep Singh, et autres
Publié: (2024)
par: Mandeep Singh, et autres
Publié: (2024)
Progress in Computational Understanding of Ferroelectric Mechanisms in HfO$_2$
par: Zhu, Tianyuan, et autres
Publié: (2024)
par: Zhu, Tianyuan, et autres
Publié: (2024)
Depth Profiling of Oxygen Migration in Ta/HfO2 Stacks During Ionic Liquid Gating
par: Bednarz, Beatrice, et autres
Publié: (2025)
par: Bednarz, Beatrice, et autres
Publié: (2025)
COFFEE: A Carbon-Modeling and Optimization Framework for HZO-based FeFET eNVMs
par: Wu, Hongbang, et autres
Publié: (2026)
par: Wu, Hongbang, et autres
Publié: (2026)
Unveiling Retention Loss Mechanism in FeFETs with Gate-side Interlayer by Decoupling Trapped Charges and Ferroelectric Polarization
par: Han, Runhao, et autres
Publié: (2025)
par: Han, Runhao, et autres
Publié: (2025)
Ferroelectricity in $\mathrm{HfO_2}$ from a chemical perspective
par: Yuan, Jun-Hui, et autres
Publié: (2022)
par: Yuan, Jun-Hui, et autres
Publié: (2022)
Enhanced polarization switching characteristics of HfO2 ultrathin films via acceptor-donor co-doping
par: Zhou, Chao, et autres
Publié: (2024)
par: Zhou, Chao, et autres
Publié: (2024)
Heterogeneous Integration of Graphene and HfO2 Memristors
par: Urška Trstenjak, et autres
Publié: (2024)
par: Urška Trstenjak, et autres
Publié: (2024)
Gate Engineering Effect in Ferroelectric Field‐Effect Transistors with Al‐Doped HfO2 Thin Film and Amorphous Indium‐Gallium‐Zinc‐Oxide Channel
par: Jae Hoon Lee, et autres
Publié: (2024)
par: Jae Hoon Lee, et autres
Publié: (2024)
Structural and Electrical Behavior of Swift Heavy Ion Irradiated Hafnium Oxide Polymorphs in Ferroelectric and Resistive Memories
par: Philipp Schreyer, et autres
Publié: (2025)
par: Philipp Schreyer, et autres
Publié: (2025)
Role of Domain Walls on Imprint and Fatigue in HfO2-Based Ferroelectrics
par: Xie, Muting, et autres
Publié: (2024)
par: Xie, Muting, et autres
Publié: (2024)
Effect of La Spatial Uniformity on Ferroelectric Properties of HfO2 Films Deposited by Atomic Layer Deposition Method
par: Juyoung Jeong, et autres
Publié: (2024)
par: Juyoung Jeong, et autres
Publié: (2024)
Energy Efficient Dual Designs of FeFET-Based Analog In-Memory Computing with Inherent Shift-Add Capability
par: Yang, Zeyu, et autres
Publié: (2024)
par: Yang, Zeyu, et autres
Publié: (2024)
High‐κ Dielectric (HfO2)/2D Semiconductor (HfSe2) Gate Stack for Low‐Power Steep‐Switching Computing Devices
par: Taeho Kang, et autres
Publié: (2024)
par: Taeho Kang, et autres
Publié: (2024)
Embedding-Enhanced Probabilistic Modeling of Ferroelectric Field Effect Transistors (FeFETs)
par: Afee, Tasnia Nobi, et autres
Publié: (2025)
par: Afee, Tasnia Nobi, et autres
Publié: (2025)
Ferroelectric Compensation Effect of the Hard Electrode for the HfO2‐ZrO2 Superlattice Films at the Low‐Annealing Temperature
par: Chuqian Zhu, et autres
Publié: (2025)
par: Chuqian Zhu, et autres
Publié: (2025)
10‐4: Late‐News Paper: Precise Compensation of Device Variability in IGZO‐based Ferroelectric Thin‐Film Transistors for Enhanced Transparent Display Performance
par: Daniel Joch, et autres
Publié: (2024)
par: Daniel Joch, et autres
Publié: (2024)
Ferroelectricity in undoped HfO2 down to one-unit-cell on Si substrate
par: Wang, Tiantian, et autres
Publié: (2025)
par: Wang, Tiantian, et autres
Publié: (2025)
Roles of Structural Coordination and Strain Orientation in the Phase Stability of Ferroelectric HfO$_2$
par: Aladese, Adedamola D., et autres
Publié: (2024)
par: Aladese, Adedamola D., et autres
Publié: (2024)
Ferroelectric HfO$_2$-ZrO$_2$ multilayers with reduced wake-up
par: Mandal, Barnik, et autres
Publié: (2024)
par: Mandal, Barnik, et autres
Publié: (2024)
TReCiM: Lower Power and Temperature-Resilient Multibit 2FeFET-1T Compute-in-Memory Design
par: Zhou, Yifei, et autres
Publié: (2025)
par: Zhou, Yifei, et autres
Publié: (2025)
Achieving High ON State Current through Ferroelectric Polarization‐Dependent Interfacial Resistance Switching in Undoped Orthorhombic HfO 2 Films
par: Markus Hellenbrand, et autres
Publié: (2026)
par: Markus Hellenbrand, et autres
Publié: (2026)
Heracles: A HfO2 Ferroelectric Capacitor Compact Model for Efficient Circuit Simulations
par: Fehlings, Luca, et autres
Publié: (2024)
par: Fehlings, Luca, et autres
Publié: (2024)
Decoding the Complexity of Ferroelectric Orthorhombic HfO2: A Unified Mode Expansion Approach
par: Yu, Chenxi, et autres
Publié: (2026)
par: Yu, Chenxi, et autres
Publié: (2026)
Documents similaires
-
Toward Energy‐Efficient Ferroelectric Field‐Effect Transistors and Ferroelectric Random Access Memories: Tailoring the Coercive Field of Ferroelectric HfO2 Films
par: David Lehninger, et autres
Publié: (2024) -
Revealing the Influence of Dopants on the Properties of Fluorite Structure Ferroelectrics
par: Yang, Shouzhuo, et autres
Publié: (2025) -
Performance Enhancement in Hafnium Oxide Through Homogeneous and Heterogeneous co‐Doping Strategies
par: Shouzhuo Yang, et autres
Publié: (2026) -
Revealing the Ferroelectric Fatigue Pathways in HfO₂ Film
par: Yufeng Xue, et autres
Publié: (2025) -
CMOS‐Compatible ScAlN Ferroelectric Thin Films with Enhanced Polarization for High‐Performance FeFET Memory and Artificial Synapses
par: Bingqian Xu, et autres
Publié: (2025)