Cryogenic performance of field-effect transistors and amplifiers based on selective area grown InAs nanowires

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Meucci, Giulia, Olšteins, Dags, Carrad, Damon J., Nagda, Gunjan, Beznasyuk, Daria V., Petersen, Christian E. N., Martí-Sánchez, Sara, Arbiol, Jordi, Jespersen, Thomas Sand
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2509.02078