High-current p-type transistors from precursor-engineered synthetic monolayer WSe$_2$

Fuente: arXiv

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Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Hoang, Anh Tuan, Neilson, Kathryn, Xu, Kaikui, Yang, Yucheng, Ribet, Stephanie M., Peña, Tara, D'Acunto, Giulio, Song, Young Suh, Persson, Anton E. O., Millsaps, William, Ophus, Colin, Rosenberger, Matthew R., Pop, Eric, Mannix, Andrew J.
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2025
Soggetti:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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Accesso online

https://arxiv.org/abs/2509.07299