Buchumschlag

High-current p-type transistors from precursor-engineered synthetic monolayer WSe$_2$

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Hoang, Anh Tuan, Neilson, Kathryn, Xu, Kaikui, Yang, Yucheng, Ribet, Stephanie M., Peña, Tara, D'Acunto, Giulio, Song, Young Suh, Persson, Anton E. O., Millsaps, William, Ophus, Colin, Rosenberger, Matthew R., Pop, Eric, Mannix, Andrew J.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2025
Schlagworte:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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