Analytical Modelling of the Transport in Analog Filamentary Conductive-Metal-Oxide/HfOx ReRAM Devices

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Falcone, Donato Francesco, Menzel, Stephan, Stecconi, Tommaso, Galetta, Matteo, La Porta, Antonio, Offrein, Bert Jan, Bragaglia, Valeria
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Emerging Technologies
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2509.13964