2.34 kV \b{eta}-Ga2O3 Vertical Trench RESURF Schottky Barrier Diode with sub-micron fin width

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
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Hauptverfasser: Saha, Chinmoy Nath, Roy, Saurav, Liu, Yizheng, Peterson, Carl, Krishnamoorthy, Sriram
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2025
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