Tran, D. Q., Kim, M., Nam, O., Darakchieva, V., & Paskov, P. P. (2025). Thermal transport in GaN/AlN HEMTs on 4H-SiC: Role of layer thickness and hetero-interfaces.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Tran, Dat Q., Minho Kim, Okhyun Nam, Vanya Darakchieva, und Plamen P. Paskov. Thermal Transport in GaN/AlN HEMTs on 4H-SiC: Role of Layer Thickness and Hetero-interfaces. 2025.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Tran, Dat Q., et al. Thermal Transport in GaN/AlN HEMTs on 4H-SiC: Role of Layer Thickness and Hetero-interfaces. 2025.
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