Thermal transport in GaN/AlN HEMTs on 4H-SiC: Role of layer thickness and hetero-interfaces

Fuente: arXiv
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Auteurs principaux: Tran, Dat Q., Kim, Minho, Nam, Okhyun, Darakchieva, Vanya, Paskov, Plamen P.
Format: Preprint
Publié: 2025
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