Hydrogenated Aluminum Doped Zinc Oxide as Highly Transparent and Passivating Indium-Free Recombination Junction for TOPCon-Based Bottom Cell

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Altıner, Gökhan, Bolding, Jons, Kaplan, Yiğit Mert, Souren, Floor, de Vries, Hindrik, Turan, Raşit, Nasser, Hisham
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2025
Schlagworte:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
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