Over 3 kV and Ultra-Low leakage Vertical (011) \b{eta}-Ga2O3 Power Diodes with Engineered Schottky Contact and High-permittivity Dielectric Field Plate

Fuente: arXiv
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Autori principali: Hollar, Emerson J., Farzana, Esmat
Natura: Preprint
Pubblicazione: 2025
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