Over 3 kV and Ultra-Low leakage Vertical (011) \b{eta}-Ga2O3 Power Diodes with Engineered Schottky Contact and High-permittivity Dielectric Field Plate
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | , |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2025
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| Soggetti: | |
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