Over 3 kV and Ultra-Low leakage Vertical (011) \b{eta}-Ga2O3 Power Diodes with Engineered Schottky Contact and High-permittivity Dielectric Field Plate
Fuente:
arXiv
Guardado en:
| Autores principales: | , |
|---|---|
| Formato: | Preprint |
| Publicado: |
2025
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| Materias: | |
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