Switching perpendicular magnets for Processing-in-memory with voltage gated Weyl Semimetals

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Chen, Youjian, Vakili, Hamed, Morshed, Md Golam, Ghosh, Avik W.
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2511.03507