Elimination of the acoustoelectric domain and increasing of the emission intensity by means of shunting the lateral current in the InGaAs/GaAs heterostructures

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Belevskii, P. A., Vinoslavskii, M. N., Pylypchuk, O. S.
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2511.03621