Impact of Contact Gating on Scaling of Monolayer 2D Transistors Using a Symmetric Dual-Gate Structure

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Ravel, Victoria M., Evans, Sarah R., Holmes, Samantha K., Doherty, James L., Rahman, Md Sazzadur, Roy, Tania, Franklin, Aaron D.
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2511.09762