Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | Nyabere, Geofrey, Ellis, Hunter, Gomez, Miguel, Jia, Wei, Liu, Yizheng, Higley, Karli Ann, Krishnamoorthy, Sriram, Blair, Steve, Fu, Kai, Sensale-Rodriguez, Berardi |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2025
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://arxiv.org/abs/2511.09811 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge
Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN-based Grating-Gate Plasmonic Crystals
von: Sai, Pavlo, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Sai, Pavlo, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN‐Based Grating‐Gate Plasmonic Crystals
von: Pavlo Sai, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Pavlo Sai, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Frequency multiplication in Terahertz band using AlGaN/GaN plasmonic crystals
von: Shur, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Shur, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Effect of Tensile Strain in GaN Layer on the Band Offsets and 2DEG Density in AlGaN/GaN Heterostructures
von: Date, Mihir, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Date, Mihir, et al.
Veröffentlicht: (2017)
kV-Class Lateral NiOx/GaN Super-Heterojunction Diode via Ammonia Molecular Beam Epitaxy (NH3-MBE)
von: Liu, Yizheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Liu, Yizheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Record Negative Photoconductivity in N‐Polar AlGaN/GaN Quantum‐Well Heterostructures
von: Maciej Matys, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Maciej Matys, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Reconfigurable Curved Beams at Terahertz Frequencies Using Inverse-Designed Bilayer Diffractive Structures
von: Jia, Wei, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Jia, Wei, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Reconfigurable Curved Beams at Terahertz Frequencies Using Inverse‐Designed Bilayer Diffractive Structures
von: Wei Jia, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Wei Jia, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Holographic Mapping of Orbital Angular Momentum Using a Terahertz Diffractive Optical Neural Network
von: Jia, Wei, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Jia, Wei, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Impact of Polarization Charges on Threshold Voltage and Band Offset in AlGaN/GaN Heterostructures
von: Tetsuya Suemitsu, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Tetsuya Suemitsu, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Numerical Investigation of Quasi‐Vertical GaN‐on‐Si MOSFET Incorporating AlGaN/GaN Polarization Interface and AlGaN Functional Layer
von: Zijun Lin, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Zijun Lin, et al.
Veröffentlicht: (2026)
In situ XRD Study of Strain Evolution in AlGaN/GaN HEMT at High Temperatures up to 1000 °C
von: Li, Botong, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Li, Botong, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Comparative Analysis of Ni/Ag and Ni/Au Contacts on GaN/AlGaN/GaN Platform
von: Yuanlei Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Yuanlei Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Cathodoluminescence of quantized energy states at AlGaN/GaN interface
von: Chahshouri, Fatemeh, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Chahshouri, Fatemeh, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Effect of current on terahertz plasmons in AlGaN/GaN heterostructures
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Schottky Contact Degradation and Dislocations in AlGaN‐GaN HEMTs
von: Yongkun Sin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Yongkun Sin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Formation of Ultra-High-Resistance Au/Ti/p-GaN Junctions and the Applications in AlGaN/GaN HEMTs
von: Zhou, Guangnan, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Zhou, Guangnan, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Microwave dependent quantum transport characteristics in GaN/AlGaN FETs
von: Shinozaki, Motoya, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Shinozaki, Motoya, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Nonresonant Terahertz Detector Based on Improved N‐Polar AlGaN/GaN Plasma Wave High‐Electron‐Mobility Transistors
von: Yang Dai, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Yang Dai, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Effect of Ultra‐Thin AlGaN Regrown Layer on the Electrical Properties of ZrO2/AlGaN/GaN Structures
von: Toi Nezu, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Toi Nezu, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Effects of the built-in electric field on free and bound excitons in a polar GaN/AlGaN/GaN based heterostructure
von: Méchin, Loïc, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Méchin, Loïc, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Record negative photoconductivity in N-polar AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Discovery of Slot Plasma Excitations in a AlGaN/GaN Plasmonic Crystal
von: Khisameeva, A. R., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Khisameeva, A. R., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Electronic Transport in AlGaN/GaN Nanowires Under Ultraviolet Excitation and Edge Depletion Effect, Studied in a Wide Temperature Range
von: Svetlana Vitusevich, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Svetlana Vitusevich, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Microwave Power Performance of AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistor on Semi‐Insulating Mn‐Doped GaN Substrate
von: Tomoharu Sugino, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Tomoharu Sugino, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Plasma‐Engineered AlGaN/GaN Optoelectronic Synapses for Low‐Power Neuromorphic Computing
von: Yuliang Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Yuliang Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Retracted: Improvement and Reduction of Self-Heating Effect in AlGaN/GaN HEMT Devices
von: Journal of Sensors
Veröffentlicht: (2024)
von: Journal of Sensors
Veröffentlicht: (2024)
Device and Noise Performances of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Various GaN Channel Layers Grown on AlN Buffer Layer
von: Ki‐Sik Im, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Ki‐Sik Im, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Experimental demonstration of a Two-Dimensional Hole Gas (2DHG) in a GaN/AlGaN/GaN based heterostructure by optical spectroscopy
von: Méchin, Loïc, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Méchin, Loïc, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Presence of High Density Positive Fixed Charges at ALD–Al2O3/GaN (cap) Interface for Efficient Recovery of 2‐DEG in Ultrathin‐Barrier AlGaN/GaN Heterostructure
von: Han Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Han Zhang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Impact of AlN buffer thickness on electrical and thermal characteristics of AlGaN/GaN/AlN HEMTs
von: Kim, Minho, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Kim, Minho, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Potential of Graphene/AlGaN/GaN heterostructures to study the drag and two-stream instability effects
von: Rehman, A., et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Rehman, A., et al.
Veröffentlicht: (2026)
Effect of temperature on 2D terahertz plasmons and electron effective mass in AlGaN/GaN
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Dub, M., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Inverse Design of AlGaN/GaN HEMT RF Device with Source Connected Field Plate
von: Aurick Das, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Aurick Das, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Enhanced Performance of Ultraviolet AlGaN/GaN Photo‐HEMTs by Optimized Channel Isolation Schemes
von: Ramit Kumar Mondal, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Ramit Kumar Mondal, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optimization of gate structure towards high‐sensitivity AlGaN/GaN HEMT cortisol detection
von: Hui Chang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Hui Chang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optimization of the Al Composition of the p‐AlGaN Electron Blocking Layer in GaInN/GaN Multiquantum‐Shell Nanowire LEDs
von: Yuta Hattori, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Yuta Hattori, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Optimizing Forward Drop and Reverse Leakage Trade‐Off in AlGaN/GaN Lateral Diode with Schottky‐Metal‐Insulator‐Semiconductor Cascode Anode
von: Fangzhou Wang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Fangzhou Wang, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Experimental investigation on the effect of temperature on the frequency limit of GaAs-AlGaAs and AlGaN-GaN 2DEG Hall-effect sensors
von: Lalwani, Anand V, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Lalwani, Anand V, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Unusually high-density 2D electron gases in N-polar AlGaN/GaN heterostructures with GaN/AlN superlattice back barriers grown on sapphire substrates
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Matys, Maciej, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Ähnliche Einträge
-
Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN-based Grating-Gate Plasmonic Crystals
von: Sai, Pavlo, et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Extreme Terahertz Nonlinearity of AlGaN/GaN‐Based Grating‐Gate Plasmonic Crystals
von: Pavlo Sai, et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Frequency multiplication in Terahertz band using AlGaN/GaN plasmonic crystals
von: Shur, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Effect of Tensile Strain in GaN Layer on the Band Offsets and 2DEG Density in AlGaN/GaN Heterostructures
von: Date, Mihir, et al.
Veröffentlicht: (2017) -
kV-Class Lateral NiOx/GaN Super-Heterojunction Diode via Ammonia Molecular Beam Epitaxy (NH3-MBE)
von: Liu, Yizheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)