Giant enhancement of attosecond tunnel ionization competes with disorder-driven decoherence in silicon

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Purschke, D. N., Vick, D., Cárdenas, A., Haram, N., Bastani, P., Gholam-Mirzaei, S., Mokhtari, S., Jelic, V., Chen, J., Canlas, J., Tordiff, J., Rahman, Md. W., Naumov, A. Yu., Villeneuve, D. M., Staudte, A., Salomons, M., Silva, R. E. F., Jiménez-Galán, Á., Vampa, G.
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2511.14678