Device-Scale Atomistic Simulations of Heat Transport in Advanced Field-Effect Transistors

Fuente: arXiv

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Auteurs principaux:	Xu, Ke, Wang, Gang, Liang, Ting, Xiao, Yang, Ding, Dongliang, Guo, Haichang, Gao, Xiang, Tong, Lei, Wan, Xi, Zhang, Gang, Xu, Jianbin
Format:	Preprint
Publié:	2025
Sujets:	Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2511.18915