Limitations on Activation of High Dose Ge implant in beta-Ga2O3

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Luo, Tianhai, Gann, Katie R., Gorsak, Cameron A., Chang, Ming-Chiang, Evans, Prescott E, Asel, Thaddeus J, Nair, Hari P, van Dover, R. B., Thompson, Michael O.
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2511.19674