Cr2O3/\b{eta}-Ga2O3 Heterojunction Diodes with Orientation-Dependent Breakdown Electric Field up to 12.9 MV/cm

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Liu, Yizheng, Wang, Haochen, Peterson, Carl, Speck, James S., Van De Walle, Chris, Krishnamoorthy, Sriram
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Internet

https://arxiv.org/abs/2511.20885