Design of a High-Power and High-Efficiency GaN-HEMT VCO Based on an Inverse Class-F Amplifier

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Mi, Junlin, Fan, Ruinan, Yan, Liping, Feng, Yuhao, Liu, Changjun
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2512.05846