Physics-based Full-band GaN High-Electron-Mobility Transistor Simulation Suggests Upper Bound of LO Phonon Lifetime
Fuente:
arXiv
Enregistré dans:
| Auteurs principaux: | , , , |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Publié: |
2025
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Aucune description n'est disponible. |