Physics-based Full-band GaN High-Electron-Mobility Transistor Simulation Suggests Upper Bound of LO Phonon Lifetime
Fuente:
arXiv
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2025
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!