Enhancing Hole Mobility in Monolayer $WSe_{2}$ p-FETs via Process-Induced Compression

Fuente: arXiv
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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Zhao, He Lin, Afrid, Sheikh Mohd Ta-Seen, Yoon, Dongyoung, Martin, Zachary, Islam, Zakaria, Chen, Sihan, Zhang, Yue, Huang, Pinshane Y., Rakheja, Shaloo, van der Zande, Arend M.
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2025
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