Beta-Ga2O3 Sub-Micron FinFETs with Si Delta-Doped Channel Modulating Charge Density Above 3x10^13 cm^-2

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Das, Nabasindhu, Gorsak, Cameron, Kashyap, Ankita, Gilankar, Advait, Tripathi, Pushpanshu, Paranjape, Salil A, Thornton, Trevor, Nair, Hari, Kalarickal, Nidhin Kurian
Format:	Preprint
Publié:	2025
Sujets:	Applied Physics
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2512.09279