Breakdown characteristics of SiNx with different stoichiometries for resistive memories

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Mavropoulis, A. E., Kanellopoulos, I., Pissanos, G., Samara, G., Vasileiadis, N., Stavroulakis, E., Normand, P., Sirakoulis, G. Ch., Dimitrakis, P.
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Descripción
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