Copertina

Electrical Stability of Cr2O3/\b{eta}-Ga2O3 and NiOx/\b{eta}-Ga2O3 Heterojunction Diodes

Fuente: arXiv

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Liu, Yizheng, Wang, Haochen, Peterson, Carl, Saha, Chinmoy Nath, Van de Walle, Chris G., Krishnamoorthy, Sriram
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2025
Soggetti:	Applied Physics Materials Science
Accesso online:	Acceder al recurso
Tags:	Aggiungi Tag Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

Documenti analoghi

NiOx/\b{eta}-Ga2O3 Heterojunction Diode Achieving Breakdown Voltage >3 kV with Plasma Etch Field-Termination
di: Liu, Yizheng, et al.
Pubblicazione: (2024)

Cr2O3/\b{eta}-Ga2O3 Heterojunction Diodes with Orientation-Dependent Breakdown Electric Field up to 12.9 MV/cm
di: Liu, Yizheng, et al.
Pubblicazione: (2025)

2.34 kV \b{eta}-Ga2O3 Vertical Trench RESURF Schottky Barrier Diode with sub-micron fin width
di: Saha, Chinmoy Nath, et al.
Pubblicazione: (2025)

VBr >10 kV E-Beam/Sputtered Vertical NiOx/(011) β-Ga2O3 HJDs with PFOM >2.3 GW/cm2
di: Liu, Yizheng, et al.
Pubblicazione: (2026)

Orientation-Dependent \b{eta}-Ga2O3 Heterojunction Diode with Atomic Layer Deposition (ALD) Grown NiO
di: Liu, Yizheng, et al.
Pubblicazione: (2025)

Realization of Insulating Buffer Layers via MOCVD-Grown Nitrogen-Doped (010) \b{eta}-Ga2O3
di: Kahler, Rachel, et al.
Pubblicazione: (2025)

Evidence of Micron-Scale Ion Damage in (010), (110), and (011) $β-Ga_2O_3$ Epitaxial Layers
di: Peterson, Carl, et al.
Pubblicazione: (2026)

Kilovolt-Class $β-Ga_2O_3$ Field-Plated Schottky Barrier Diodes with MOCVD-Grown Intentionally $10^{15}$ $cm^{-3}$ Doped Drift Layers
di: Peterson, Carl, et al.
Pubblicazione: (2025)

kV-Class Lateral NiOx/GaN Super-Heterojunction Diode via Ammonia Molecular Beam Epitaxy (NH3-MBE)
di: Liu, Yizheng, et al.
Pubblicazione: (2025)

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of \b{eta}-(AlxGa1-x)2O3 thin films on (001) \b{eta}-Ga2O3 substrates
di: Bhuiyan, A. F. M. Anhar Uddin, et al.
Pubblicazione: (2023)

Ion implantation in \b{eta}-Ga2O3: physics and technology
di: Nikolskaya, Alena, et al.
Pubblicazione: (2021)

Utilizing (Al, Ga)2O3/Ga2O3 superlattices to measure cation vacancy diffusion and vacancy-concentration-dependent diffusion of Al, Sn, and Fe in \b{eta} -Ga2O3
di: Rock, Nathan D., et al.
Pubblicazione: (2024)

Structural, optical and mechanical properties of Cr doped \b{eta}-Ga2O3 single crystals
di: Vijayakumar, P., et al.
Pubblicazione: (2024)

Dielectric Reliability and Interface Trap Characterization in MOCVD grown In-situ Al$_2$O$_3$ on $β$-Ga$_2$O$_3$
di: Roy, Saurav, et al.
Pubblicazione: (2024)

Design and simulation of GaSe hybrid photonic waveguides on a \b{eta}-Ga2O3 platform
di: Islam, Md. Nakibul, et al.
Pubblicazione: (2025)

Beta-AlGaO/Ga2O3 Tri-Gate MOSHEMT with 70GHz fT and 55GHz fmax
di: Nipu, Noor Jahan, et al.
Pubblicazione: (2026)

High performance vacuum annealed beta-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 HFET with f_T/f_MAX of 32/65 GHz
di: Saha, Chinmoy Nath, et al.
Pubblicazione: (2025)

Strain-Gradient-Driven Decoupling of Thermal Suppression from Anisotropy in \b{eta}-Ga2O3
di: Zhang, Guangwu, et al.
Pubblicazione: (2025)

In situ etching of \b{eta}-Ga2O3 using tert-butyl chloride in an MOCVD system
di: Gorsak, Cameron A., et al.
Pubblicazione: (2024)

Oxygen Stoichiometry Engineering in P‐Type NiOx for High‐Performance NiO/Ga2O3 Heterostructure p–n Diode
di: Yuehua Hong, et al.
Pubblicazione: (2024)

In-situ Patterned Damage-Free Etching of 3-Dimensional Structures in \b{eta}-Ga2O3 using Triethylgallium
di: Das, Nabasindhu, et al.
Pubblicazione: (2024)

Quantification of the strong, phonon-induced Urbach tails in \b{eta}-Ga2O3 and their implications on electrical breakdown
di: Islam, Ariful, et al.
Pubblicazione: (2024)

Demonstration of KV-Class \b{eta}-Ga2O3 Trench Junction Barrier Schottky Diodes with SpaceModulated Junction Termination Extension
di: Gilankar, Advait, et al.
Pubblicazione: (2025)

Giant intrinsic dichroism in \b{eta}-Ga2O3 enables filter-free, high-fidelity polarization division multiplexing
di: Zhang, Yonghui, et al.
Pubblicazione: (2026)

Electro-thermal Co-design of Vertical \b{eta}-Ga2O3 Schottky Diodes with High-permittivity BaTiO3 Field-plate for High-field and Thermal Management
di: Audri, Ahsanul Mohaimeen, et al.
Pubblicazione: (2025)

Over 3 kV and Ultra-Low leakage Vertical (011) \b{eta}-Ga2O3 Power Diodes with Engineered Schottky Contact and High-permittivity Dielectric Field Plate
di: Hollar, Emerson J., et al.
Pubblicazione: (2025)

Electron beam irradiation-induced transport and recombination in p-type Gallium Oxide grown on (001) \b{eta}-Ga2O3 substrate
di: Marciaga, Gabriel, et al.
Pubblicazione: (2025)

Record-High Electron Mobility and Controlled Low 10$^{15}$ cm$^{-3}$ Si-doping in (010) $β$-Ga$_2$O$_3$ Epitaxial Drift Layers
di: Peterson, Carl, et al.
Pubblicazione: (2024)

Carbon-Nanotube/$β$-Ga$_2$O$_3$ Heterojunction PIN Diodes
di: Ellis, Hunter D., et al.
Pubblicazione: (2025)

Analysis of the Temperature Dependence of the Capacitance of NiO/Ga2O3 Heterojunction Diodes Using Analytical and PSO Modelling
di: Yasmine Senouci, et al.
Pubblicazione: (2025)

α‐Ga 2 O 3 ‐Based Heterojunction Diodes and Junction Field‐Effect Transistors
di: Paul Bokemeyer, et al.
Pubblicazione: (2025)

Transition Metal Impurities as Shallow Donors in β‐Ga2O3
di: Siavash Karbasizadeh, et al.
Pubblicazione: (2024)

NiGa$_{2}$O$_{4}$ interfacial layers in NiO/Ga$_{2}$O$_{3}$ heterojunction diodes at high temperature
di: Egbo, Kingsley, et al.
Pubblicazione: (2024)

>3kV NiO/Ga2O3 Heterojunction Diodes with Space-Modulated Junction Termination Extension and Sub-1V Turn-on
di: Gilankar, Advait, et al.
Pubblicazione: (2024)

On Ga2O3 Self‐Switching Nano‐Diodes
di: Glen Isaac Maciel García, et al.
Pubblicazione: (2025)

On the eta invariant of (2,3,5) distributions
di: Haller, Stefan
Pubblicazione: (2025)

Epitaxial growth and semiconductor properties of NiGa2O4 spinel for Ga2O3/NiO interfaces
di: Egbo, Kingsley, et al.
Pubblicazione: (2025)

Neutron-Assisted Breakdown Enhancement in $β$-Ga$_2$O$_3$ Schottky Diodes
di: Khan, Saleh Ahmed, et al.
Pubblicazione: (2025)

Characterization of Chromium Impurities in $β$-Ga$_2$O$_3$
di: Turiansky, Mark E., et al.
Pubblicazione: (2024)

Ultrahigh Stability of O-Sublattice in $β$-Ga$_2$O$_3$
di: He, Ru, et al.
Pubblicazione: (2024)