Pulse-Mode Operation and Reliability of BEOL-Compatible Ferroelectric Non-Volatile Capacitive Memories with Amorphous Oxide Semiconductor Channels

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Lee, Junmo, Zhang, Chengyang, Kim, Tae-Hyeon, Datta, Suman, Yu, Shimeng
Formato:	Preprint
Publicado:	2025
Materias:	Materials Science Other Condensed Matter Applied Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

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https://arxiv.org/abs/2512.16040