Ultra-Wide Bandgap AlGaN Heterostructure Field Effect Transistors with Current Gain Cutoff Frequency Above 85 GHz

Fuente: arXiv

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Zhu, Yinxuan, Allerman, Andrew A., Wissel-Garcia, Ashley, Shin, Seungheon, Pratt, Jon, Cao, Can, Liddy, Kyle J., Speck, James S., Klein, Brianna A., Armstrong, Andrew, Rajan, Siddharth
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2025
Soggetti:	Applied Physics
Accesso online:	Acceder al recurso
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Descrizione
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