Dielectric and gate metal engineering for threshold voltage modulation in enhancement mode monolayer MoS2 field effect transistors

Fuente: arXiv

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Auteurs principaux:	Liu, Lixin, Yan, Han, Loh, Leyi, Paul, Kamal Kumar, Sarkar, Soumya, Biswas, Deepnarayan, Lee, Tien-Lin, Taniguchi, Takashi, Watanabe, Kenji, Chhowalla, Manish, Wang, Yan
Format:	Preprint
Publié:	2025
Sujets:	Materials Science Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2512.20069