Channel-last gate-all-around nanosheet oxide semiconductor transistors

Fuente: arXiv

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Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Athena, Fabia F., Wu, Xiangjin, Safron, Nathaniel S., McKeown-Green, Amy Siobhan, Dossena, Mauro, Evans, Jack C., Hartanto, Jonathan, Cho, Yukio, Zhong, Donglai, Peña, Tara, Czaja, Paweł, Moradifar, Parivash, McIntyre, Paul C., Luisier, Mathieu, Cui, Yi, Dionne, Jennifer A., Pitner, Greg, Radu, Iuliana P., Pop, Eric, Salleo, Alberto, Wong, H. -S. Philip
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2025
Soggetti:	Materials Science
Accesso online:	Acceder al recurso
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Descrizione
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