Channel-last gate-all-around nanosheet oxide semiconductor transistors

Fuente: arXiv
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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Athena, Fabia F., Wu, Xiangjin, Safron, Nathaniel S., McKeown-Green, Amy Siobhan, Dossena, Mauro, Evans, Jack C., Hartanto, Jonathan, Cho, Yukio, Zhong, Donglai, Peña, Tara, Czaja, Paweł, Moradifar, Parivash, McIntyre, Paul C., Luisier, Mathieu, Cui, Yi, Dionne, Jennifer A., Pitner, Greg, Radu, Iuliana P., Pop, Eric, Salleo, Alberto, Wong, H. -S. Philip
Formato: Preprint
Publicado: 2025
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