Comparison of reverse current mechanisms in GaN Schottky diodes grown on sapphire versus ammonothermal GaN substrates

Fuente: arXiv

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Orfao, B., Daher, M. Abou, Bouillaud, H., Roelens, Y., Prystawko, P., Kucharski, R., Bockowski, M., Zaknoune, M.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2026
Schlagworte:	Applied Physics
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https://arxiv.org/abs/2601.05958