Cryogenic interface-state filling and tunneling mechanisms in strained Ge/SiGe heterostructures

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Ma, Jingrui, Kang, Yuan, Wu, Rui, Liu, Zheng, Li, Zong-Hu, Hao, Tian-Yue, Kong, Zhen-Zhen, Wang, Gui-Lei, Xu, Yong-Qiang, Cai, Ran-Ran, Wang, Bao-Chuan, Li, Hai-Ou, Cao, Gang, Guo, Guo-Ping
Formato:	Preprint
Publicado:	2026
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2601.06927