Symmetry Adapted Analysis of Screw Dislocation: Electronic Structure and Carrier Recombination Mechanisms in GaN

Fuente: arXiv
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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Xie, Yuncheng, Shi, Haozhe, Huang, Menglin, Chu, Weibin, Chen, Shiyou, Gong, Xin-Gao
Formato: Preprint
Publicado: 2026
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