Symmetry Adapted Analysis of Screw Dislocation: Electronic Structure and Carrier Recombination Mechanisms in GaN

Fuente: arXiv
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Hauptverfasser: Xie, Yuncheng, Shi, Haozhe, Huang, Menglin, Chu, Weibin, Chen, Shiyou, Gong, Xin-Gao
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2026
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