Electrically and optically active charge carrier traps in silicon-doped few-layer GaSe

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Bissolo, M., Li, R., Ogura, M., Sofer, Z., Polesya, S., Han, D., Holleitner, A. W., Kastl, C., Koblmüller, G., Ebert, H., Zallo, E., Finley, J. J.
Formato:	Preprint
Publicado:	2026
Materias:	Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Internet

https://arxiv.org/abs/2602.03964