Device-Circuit Co-Design of Variation-Resilient Read and Write Drivers for Antiferromagnetic Tunnel Junction (AFMTJ) Memories

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Choudhary, Yousuf, Adegbija, Tosiron
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2026
Schlagworte:
Online-Zugang:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge