Dependence of the Mn sticking coefficient on Ga-rich, N-rich, and Ga/N-flux-free conditions in GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Fuente: arXiv
Gespeichert in:
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Hauptverfasser: Cho, YongJin, Yu, Changkai, Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep
Format: Preprint
Veröffentlicht: 2026
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