Interface-Driven Growth Mode Control of 2D GaSe on 3D GaAs Substrates with Distinct Crystallographic Orientations

Fuente: arXiv

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Auteurs principaux:	Sheibani, Aida, Zamani, Mohammad, Paillard, Charles, Moorthi, Kanagaraj, de Oliveira, Fernando Maia, Kryvyi, Serhii, Benamara, Mourad, Stanchu, Hryhorii, Gunder, Calbi, Churchill, Hugh, Mazur, Yuriy I., Salamo, Gregory
Format:	Preprint
Publié:	2026
Sujets:	Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2602.12899