A stochastic simulation of the dislocation-mediated etching of porous GaN distributed Bragg reflectors

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Sokolinski, Piotr, Thornley, Ben, Xu, Zetai, Harris-Lee, Thom R., Kappers, Menno J., Oliver, Rachel A.
Formato:	Preprint
Publicado:	2026
Materias:	Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Internet

https://arxiv.org/abs/2602.18336