Demonstration of High-Performance Ultra-Wide Bandgap SrSnO$_3$ Top-Gated MOSFETs

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Koo, Junghyun, Sun, Weideng, Kim, Donghwan, Lee, Hongseung, Zhu, Chengyu, Lee, Kiyoung, Bae, Hagyoul, Jalan, Bharat, Qiu, Gang
Format:	Preprint
Publié:	2026
Sujets:	Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2602.20385