Electrical driving of hole spin states in planar silicon MOS device by g-matrix modulation

Fuente: arXiv
Salvato in:
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Autori principali: Shamim, Aaquib, Liles, Scott D., Hillier, Joe, Huang, Jonathan Y., Vorreiter, Isaac, Chowdhury, Pratik, Escott, Chris C., Hudson, Fay E., Lim, Wee Han, Chan, Kok Wai, Rahman, Rajib, Dzurak, Andrew S., Hamilton, Alexander R.
Natura: Preprint
Pubblicazione: 2026
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