Strain effects on $n$-type doping in AlN
Fuente:
arXiv
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | Wang, Haochen, Van de Walle, Chris G. |
|---|---|
| Format: | Preprint |
| Veröffentlicht: |
2026
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge
Towards higher electro-optic response in AlScN
von: Wang, Haochen, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Wang, Haochen, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Origin of shallow n-type doping in AlN and Al-rich AlGaN
von: Liu, Yujie, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Liu, Yujie, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Grafted Low-Leakage Si/AlN p-n Diodes Enabled by Fluorinated AlN Interface
von: Lu, Yi, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Lu, Yi, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Molecular Beam Homoepitaxy of N-polar AlN on bulk AlN substrates
von: Singhal, Jashan, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Singhal, Jashan, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Strain distribution in GaN/AlN superlattices grown on AlN/sapphire templates: comparison of X-ray diffraction and photoluminescence studies
von: Wierzbicka, Aleksandra, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Wierzbicka, Aleksandra, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Impact of AlN buffer thickness on electrical and thermal characteristics of AlGaN/GaN/AlN HEMTs
von: Kim, Minho, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Kim, Minho, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Design of high-mobility p-type GaN via the piezomobility tensor
von: Chen, Jie-Cheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Chen, Jie-Cheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Unveiling the Pockels Coefficient of Ferroelectric Nitride ScAlN
von: Yang, Guangcanlan, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Yang, Guangcanlan, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Intersubband optical absorption in the GaN/AlN qunatum wire with donor-doping
von: Ortakaya, Sami
Veröffentlicht: (2025)
von: Ortakaya, Sami
Veröffentlicht: (2025)
Temperature Dependent Characteristics of Quasi-vertical AlN Schottky Diodes on Bulk AlN Substrate
von: Hamid, Md Abdul, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Hamid, Md Abdul, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Shubnikov-de Haas oscillations in coherently strained AlN/GaN/AlN quantum wells on bulk AlN substrates
von: Chen, Yu-Hsin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Chen, Yu-Hsin, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Electron mobility in AlN from first principles
von: Wang, Amanda, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Wang, Amanda, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Si/AlN p-n heterojunction interfaced with ultrathin SiO2
von: Abbasi, Haris Naeem, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Abbasi, Haris Naeem, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Heterostructure Engineering for Wurtzite LaN
von: Rowberg, Andrew J. E., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Rowberg, Andrew J. E., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Ferroelectric Fractals: Switching Mechanism of Wurtzite AlN
von: Behrendt, Drew, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Behrendt, Drew, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Direct evidence for carbon incorporation on the nitrogen site in AlN
von: Wickramaratne, Darshana, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Wickramaratne, Darshana, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Carbon in GaN as a nonradiative recombination center
von: Zhao, Fangzhou, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Zhao, Fangzhou, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Beyond structural stabilization of highly-textured AlN thin film: the role of chemical effects
von: Pshyk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Pshyk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Significant impact of Al1-xGaxN interlayer on GaN/AlN thermal boundary conductance
von: Adnan, Khalid Zobaid, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Adnan, Khalid Zobaid, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Wurtzite AlScN/AlN Superlattice Ferroelectrics Enable Endurance Beyond 1010 Cycles
von: Wang, Ruiqing, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Wang, Ruiqing, et al.
Veröffentlicht: (2025)
XHEMTs on Ultrawide Bandgap Single-Crystal AlN Substrates
von: Kim, Eungkyun, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Kim, Eungkyun, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Machine-learning interatomic potential for AlN for epitaxial simulation
von: Taormina, Nicholas, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Taormina, Nicholas, et al.
Veröffentlicht: (2025)
AlN Nanowire Based Vertically Integrated Piezoelectric Nanogenerators
von: Buatip, N., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Buatip, N., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Impact of Absorption due to Zero-Field Splitting on Loss in Dielectrics: A Case Study in Sapphire
von: Turiansky, Mark E., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Turiansky, Mark E., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Dielectric Loss due to Charged-Defect Acoustic Phonon Emission
von: Turiansky, Mark E., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Turiansky, Mark E., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Electrical Stability of Cr2O3/\b{eta}-Ga2O3 and NiOx/\b{eta}-Ga2O3 Heterojunction Diodes
von: Liu, Yizheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Liu, Yizheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Metalorganic Chemical Vapor Deposition of AlScN Thin Films and AlScN/AlN/GaN Heterostructures
von: Vangipuram, Vijay Gopal Thirupakuzi, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Vangipuram, Vijay Gopal Thirupakuzi, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Improved operating voltage in InGaN-capped AlGaN-based DUV LEDs on bulk AlN substrates
von: Huang, H-W S., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Huang, H-W S., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Depletion-mode N-polar AlN-based high electron mobility transistors with improved on/off ratios
von: Yang, Xu, et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Yang, Xu, et al.
Veröffentlicht: (2026)
Fractional-Monolayer 2D-GaN/AlN Structures: Growth Kinetics and UVC-emitter Applications
von: Jmerik, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2026)
von: Jmerik, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2026)
Nitrogen-polar growth of AlN on vicinal (0001) sapphire by MOVPE
von: Pampili, Pietro, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Pampili, Pietro, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Machine-learning potential for phonon transport in AlN with defects in multiple charge states
von: Dou, Ying, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Dou, Ying, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Development of TiN/AlN-based superconducting qubit components
von: Schoof, Benedikt, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Schoof, Benedikt, et al.
Veröffentlicht: (2024)
Cr2O3/\b{eta}-Ga2O3 Heterojunction Diodes with Orientation-Dependent Breakdown Electric Field up to 12.9 MV/cm
von: Liu, Yizheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Liu, Yizheng, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Increasing the mobility and power-electronics figure of merit of AlGaN with atomically thin AlN/GaN digital-alloy superlattices
von: Pant, Nick, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Pant, Nick, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Demonstration of Si-doped Al-rich thin regrown Al(Ga)N films on AlN on sapphire templates with $\gt10^{15}/cm^3$ free carrier concentration using close-coupled showerhead MOCVD reactor
von: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Mukhopadhyay, Swarnav, et al.
Veröffentlicht: (2024)
First-principles studies of Schottky barriers and tunneling properties at Al(111)/Si(111) and CoSi$_2$(111)/Si(111) interfaces
von: Nangoi, J. K., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Nangoi, J. K., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Auger parameter analysis for TiN and AlN thin films via combined in-situ XPS and HAXPES
von: Pshyk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Pshyk, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Charge state equilibration of nitrogen-vacancy center ensembles in diamond: The role of electron tunneling
von: Alkauskas, Audrius, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Alkauskas, Audrius, et al.
Veröffentlicht: (2025)
First-principles band alignment engineering in polar and nonpolar orientations for wurtzite AlN, GaN, and B$_x$Al$_{1-x}$N alloys
von: Milne, Cody L, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Milne, Cody L, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Ähnliche Einträge
-
Towards higher electro-optic response in AlScN
von: Wang, Haochen, et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Origin of shallow n-type doping in AlN and Al-rich AlGaN
von: Liu, Yujie, et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Grafted Low-Leakage Si/AlN p-n Diodes Enabled by Fluorinated AlN Interface
von: Lu, Yi, et al.
Veröffentlicht: (2026) -
Molecular Beam Homoepitaxy of N-polar AlN on bulk AlN substrates
von: Singhal, Jashan, et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Strain distribution in GaN/AlN superlattices grown on AlN/sapphire templates: comparison of X-ray diffraction and photoluminescence studies
von: Wierzbicka, Aleksandra, et al.
Veröffentlicht: (2025)