Demonstration of robust chiral edge transport in Chern insulator MnBi2Te4 devices with engineered geometric defects

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Wang, Pinyuan, Ge, Jun, Luo, Jiawei, Liu, Xiaoqi, Fei, Fucong, Song, Fengqi, Wang, Jian
Format:	Preprint
Publié:	2026
Sujets:	Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science
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https://arxiv.org/abs/2603.03927