Trap-Enhanced Steep-Slope Negative-Capacitance FETs Using Amorphous Oxide Semiconductors

Fuente: arXiv
Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteurs principaux: Park, Yungyeong, Lee, Hakseon, Lee, Yeonghun
Format: Preprint
Publié: 2026
Sujets:
Accès en ligne:
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Documents similaires