Physics-informed AI Accelerated Retention Analysis of Ferroelectric Vertical NAND: From Day-Scale TCAD to Second-Scale Surrogate Model

Fuente: arXiv
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Autori principali: Jeong, Gyujun, Cho, Sungwon, Shon, Minji, Kim, Namhoon, Hwang, Woohyun, Seo, Kwangyou, Lim, Suhwan, Kim, Wanki, Ha, Daewon, Venkatesan, Prasanna, Youn, Kihang, Cherukuri, Ram, Wang, Yiyi, Datta, Suman, Khan, Asif, Yu, Shimeng
Natura: Preprint
Pubblicazione: 2026
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