Symmetry Breaking and Transition to Robust Excitonic Topological Order in InAs/GaSb Bilayers

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Wang, Xinghao, Zhang, Wenfeng, Dong, Yujiang, Qiao, Weiliang, Jia, Peizhe, Du, Rui-Rui
Formato:	Preprint
Publicado:	2026
Materias:	Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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Internet

https://arxiv.org/abs/2603.10363